एमओएस ट्यूब का उच्च इनपुट प्रतिरोध स्थैतिक बिजली के खिलाफ विफल क्यों होता है?

MOS ट्रांजिस्टर का इनपुट प्रतिरोध बहुत अधिक होता है। हालाँकि, यह अपने उच्च इनपुट प्रतिरोध और बहुत छोटे गेट-सोर्स कैपेसिटेंस के कारण इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) के प्रति भी बहुत संवेदनशील है। बाहरी विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र या स्थैतिक बिजली के संपर्क में आने पर एमओएस ट्रांजिस्टर आसानी से चार्ज हो सकता है। इसके अलावा, मजबूत स्थैतिक बिजली वाली स्थितियों में, संचित चार्ज को डिस्चार्ज करना मुश्किल होता है, जिससे स्थैतिक डिस्चार्ज टूटना हो सकता है।

आमतौर पर इलेक्ट्रोस्टैटिक ब्रेकडाउन दो प्रकार के होते हैं:
पहला वोल्टेज प्रकार है, जहां गेट इलेक्ट्रोड की पतली ऑक्साइड परत टूट जाती है, जिससे गेट इलेक्ट्रोड और स्रोत इलेक्ट्रोड के बीच, या गेट इलेक्ट्रोड और ड्रेन इलेक्ट्रोड के बीच पिनहोल और शॉर्ट-सर्किटिंग हो जाती है।

दूसरा पावर प्रकार है, जहां धातुकृत पतली फिल्म एल्यूमीनियम पट्टी पिघल जाती है, जिससे या तो गेट इलेक्ट्रोड और स्रोत इलेक्ट्रोड के बीच एक खुला सर्किट होता है या गेट इलेक्ट्रोड और ड्रेन इलेक्ट्रोड के बीच एक खुला सर्किट होता है।

MOSFET के खराब होने के कारण और समाधान?
सबसे पहले, MOSFET का इनपुट प्रतिरोध बहुत अधिक है, जबकि गेट और स्रोत टर्मिनलों के बीच समाई बहुत छोटी है। इसलिए, यह बाहरी विद्युत चुम्बकीय क्षेत्रों या स्थैतिक बिजली के प्रेरण के प्रति अत्यधिक संवेदनशील है, और चार्ज की एक छोटी मात्रा भी कैपेसिटेंस (यू = क्यू / सी) में एक महत्वपूर्ण वोल्टेज बनाने का कारण बन सकती है, जिससे ट्रांजिस्टर को नुकसान हो सकता है।

हालाँकि MOSFET के इनपुट टर्मिनल में स्थैतिक बिजली से सुरक्षा है, फिर भी इसे सावधानीपूर्वक संभालने की आवश्यकता है। भंडारण और परिवहन के लिए प्रवाहकीय गुणों वाले धातु के कंटेनर या पैकेजिंग सामग्री का उपयोग करना सबसे अच्छा है, और उन्हें ऐसी सामग्री या कपड़े वाले वातावरण में रखने से बचें जो स्थिर उच्च वोल्टेज उत्पन्न कर सकते हैं, जैसे रासायनिक सामग्री या सिंथेटिक फाइबर।

असेंबली और डिबगिंग के दौरान, उपकरण, उपकरण, कार्यक्षेत्र इत्यादि सभी को ठीक से ग्राउंड किया जाना चाहिए। ऑपरेटर के स्थैतिक हस्तक्षेप से होने वाली क्षति को रोकना महत्वपूर्ण है। नायलॉन या सिंथेटिक फाइबर वाले कपड़े पहनना उचित नहीं है। एकीकृत सर्किट को छूने से पहले हाथ या उपकरण को ग्राउंड करने की भी सिफारिश की जाती है। डिवाइस लीड को सीधा या मोड़ते समय या मैन्युअल सोल्डरिंग करते समय, उपयोग किए जाने वाले उपकरण को ठीक से ग्राउंड किया जाना चाहिए।

दूसरा, एमओएस सर्किट के इनपुट सिरे पर सुरक्षा डायोड का संचालन करते समय इसकी वर्तमान सीमा आम तौर पर 1mA होती है। जब अत्यधिक क्षणिक इनपुट करंट (10mA से अधिक) की संभावना हो, तो एक इनपुट सुरक्षा अवरोधक को श्रृंखला में जोड़ा जाना चाहिए। इसलिए, आवेदन करते समय, आंतरिक सुरक्षा अवरोधक के साथ एक एमओएस ट्यूब का चयन किया जा सकता है।

इसके अलावा, चूंकि सुरक्षा सर्किट केवल सीमित मात्रा में तात्कालिक ऊर्जा को अवशोषित कर सकता है, अत्यधिक तात्कालिक संकेत और अत्यधिक उच्च स्थैतिक वोल्टेज सुरक्षा सर्किट को अप्रभावी बना देंगे। इसलिए, सोल्डरिंग के दौरान, डिवाइस के इनपुट सिरे को लीकेज करंट से क्षतिग्रस्त होने से बचाने के लिए सोल्डरिंग आयरन को विश्वसनीय रूप से ग्राउंड किया जाना चाहिए। उपयोग करते समय, सोल्डरिंग को बिजली बंद करने के बाद सोल्डरिंग लोहे की अवशिष्ट गर्मी का उपयोग करके किया जा सकता है, और ग्राउंडिंग पिन को पहले सोल्डर किया जाना चाहिए।

एमओएस गेट-सोर्स (जीएस) पुल-डाउन रेसिस्टर की क्या भूमिका है?
एमओएस एक वोल्टेज-चालित उपकरण है जो वोल्टेज के प्रति संवेदनशील है। फ्लोटिंग गेट (जी) बाहरी हस्तक्षेप से आसानी से प्रभावित होता है, जिससे एमओएस संचालित होता है। बाहरी हस्तक्षेप सिग्नल जीएस जंक्शन कैपेसिटेंस को चार्ज करता है, और इस छोटे चार्ज को लंबे समय तक संग्रहीत किया जा सकता है।

प्रयोग में जी को निलंबित करना बहुत खतरनाक है, क्योंकि इस कारण से कई पाइप फट गए हैं। जमीन पर एक पुल-डाउन अवरोधक जोड़ने से, बाईपास हस्तक्षेप सिग्नल सीधे नहीं गुजरेंगे। अवरोधक आमतौर पर 10~20K के आसपास होता है और इसे गेट अवरोधक कहा जाता है।
फ़ंक्शन 1: क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के लिए बायस वोल्टेज प्रदान करता है।
फ़ंक्शन 2: गेट जी और स्रोत एस की सुरक्षा के लिए ब्लीडर अवरोधक के रूप में कार्य करता है।

पहला फ़ंक्शन समझना आसान है. यहां, आइए दूसरे फ़ंक्शन के सिद्धांत को समझाएं। क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर के गेट जी और स्रोत एस के बीच प्रतिरोध बहुत बड़ा है। इसलिए, स्थैतिक बिजली की थोड़ी मात्रा भी जीएस टर्मिनलों के बीच समतुल्य समाई में बहुत उच्च वोल्टेज उत्पन्न कर सकती है।

यदि स्थैतिक बिजली की इन छोटी मात्रा को समय पर डिस्चार्ज नहीं किया जाता है, तो दोनों सिरों पर उच्च वोल्टेज क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में खराबी का कारण बन सकता है या जीएस टर्मिनलों को भी तोड़ सकता है। गेट और स्रोत के बीच जोड़ा गया अवरोधक ऊपर उल्लिखित स्थैतिक बिजली का निर्वहन कर सकता है, जिससे क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर की सुरक्षा होती है।

LISUN ईएसडी सिम्युलेटर बंदूकें (इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज जेनरेटर / इलेक्ट्रोस्टैटिक गन / ईएसडी गन्स) पूर्ण अनुपालन में है IEC 61000-4-2, EN61000-4-2, ISO10605, GB/T17626.2, GB/T17215.301 और GB/T17215.322.

ईएसडी परीक्षण क्या है?
मानव शरीर द्वारा वस्तु या दो वस्तुओं के बीच उत्पन्न स्थैतिक बिजली विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक उपकरण सर्किट में खराबी या यहां तक ​​​​कि क्षतिग्रस्त होने का कारण बन सकती है। ईएसडी जनरेटर को विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के मूल्यांकन के लिए ईएसडी प्रदर्शन माप को समझने के लिए डिज़ाइन किया गया है। ESD61000-2/ESD61000-2A अंग्रेजी और चीनी दोनों में एलसीडी टच स्क्रीन है। 

एएसडी सिम्युलेटर गन का उपयोग किस लिए किया जाता है?
इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज सिम्युलेटर उच्चतम इलेक्ट्रोस्टैटिक वोल्टेज 30 केवी तक हो सकता है, जो इलेक्ट्रोस्टैटिक वोल्टेज आवश्यकता के सबसे गंभीर मानक ग्रेड को कवर करने के लिए पर्याप्त है (ग्रेड 4 एयर डिस्चार्ज इलेक्ट्रोस्टैटिक की वोल्टेज आवश्यकताएं 15 केवी है)। ESD परीक्षण बंदूक का उपयोग इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज परीक्षण के लिए अधिकांश विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए किया जा सकता है, और परीक्षण की तुलना और प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्यता भी सुनिश्चित कर सकता है।

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